Новини
Форум
Актуално
сървър
Intel показа “убиеца” на флаш паметта
Очаква се комерсиални чипове да излязат още тази година
19/04/2007 | TechNews.bg
"Нов тип памет, алтернатива на флаша, демонстрира Intel на форума за разработчици в Пекин. Чипът с кодово име Alverston използва технология, по която гигантът работи от десетилетия. В основата е материал, който наподобява този за направата на компактдисковe.
Първите образци на новата памет са разработени съвместно с компанията ST Microelectronics и се очакват на пазара още през първата половина на 2007 година.
При нагряване на материала неговите състави частици, дефакто битовете, кристализират. В процес на четене на данни лъчът светлина попада на бита, отразява се и така се получава логическа “единица”. След охлаждане на бита, кристализираният материал става аморфен и се превръща в “нула”.
Изменението на състоянието се извършва под въздействие на електрически заряд или мигновено нагряване до 600 градусов по Целзий.
Очаква се технологията да замени съществуващите флаш памети, които се използват широко в потребителската електроника и компютрите. Доскоро се считаше, че флаш паметите ще бъдат изместени от нанокристали и магнитни памети. Но напоследък разработчиците посочват като най-подходяща алтернатива паметта с променлива фаза.
Още през 1970 година Гордън Мур, един от основателите на Intel, въведе термина фазова памет в бюлетина Electronics. Предимство на този тип технология, в сравнение с традиционните чипове, е по-малкото енергопотребление и възможността за поместване в кристала на по-голямо количество битове с информация, които трудно променят състоянието си под влияние на външни въздействия.
Според прогнозите на анализаторите, масовото производство на такива чипове трябваше да започне още през 2003 година."
Линк: http://technews.bg/info.php?id=3311
40 дни по-рано...
ИТ гиганти готвят алтернатива на флаш паметите
Intel, Samsung и други компании ще пуснат тази година памети с променлива фаза, които са по-бързи от флаша
09/03/2007 | TechNews.bg
"Нова памет с променлива фаза ще демонстрира Intel през първата половина на тази година. Гигантът я нарича PRAM, докато други компании, работещи по същата технология, налагат името PCM.
Intel възнамерява да пусне първите PRAM модули като директни заместници на NOR флаша. Компанията твърди, че PRAM има по-голям брой цикли „четене-запис” (100 милиона) от флаша и потенциал за 10-годишно запазване на данни, посочва arstechnica.com.
NOR флашът обикновено се използва за съхранение на програми в мобилни устройства от рода на клетъчни телефони. По-трайната, но по-бавна NAND флаш се прилага за съхранение на големи обеми данни в устройства като iPod nano.
Samsung, IBM, Intel, Hitachi и други компании активно изследваха паметта с променлива фаза (phase-change memory) като вероятен заместител на флаша. Предимствата на PCM в сравнение с флаша са многобройни.
Технологията се приближава до Светия Граал на компютърната памет – среда със стабилно състояние, малък размер на клетките и бърз достъп. Тя е нещо подобно на DRAM, но без да изисква схеми за опресняване.
Но въпреки всичко и PRAM не е съвършена. Технологията на Hitachi, например, се хвали с нейната латентност (закъснение) при четене от 20 ns. Това са наистина впечатляващи резултати в сравнение с типичната за флаш паметта латентност от 50 до 90 ns, но е доста далече от латентността на DDR2, която е 3 ns. Ако PRAM на Intel е подобна, то едва ли в скоро време тя ще се използва като основна памет в компютъра.
Някои експерти определят MRAM като най-вероятен кандидат за заместник DRAM паметта. MRAM притежава много от предимствата на PRAM, а компании като IBM и Motorola, които работят над нея, твърдят, че могат да я направят да работи със същата латентност като DRAM.
Intel започна да разработва PRAM през 2000 година, когато компанията лицензира технология за памет с променлива фаза от Ovonyx. Микропроцесорният гигант се надява да започне масово производство на 128-мегабитови чипове PRAM в края на тази година.
Samsung вече демонстрира 512 Mbit PRAM чип и обяви, че планира да предложи цяла линия от PRAM продукти през 2008 година. В края на миналия месец компанията започна да тества 256 Mbit и 512 Mbit чипове, произведени по 90-нанометров процес, заедно с производители на мобилни телефони.
Intel на този етап не разкрива детайли за своя чип. Според някои информации, латентността на PRAM ще е близка до тази на DRAM. Паметта с променлива фаза по принцип притежава много висока скорост на четене, а пропускателната способност зависи от това как ще бъде конфигурирана PRAM в съществуващия краен продукт."
Линк: http://technews.bg/info.php?id=2788
Коментар: Май ще е истина...
Не искам флашката ми да умира! HELP! Спасете флашките! Долу "Intel"!!!
Отговор с цитат
да си взема двугигабайтов флаш преди месец !!! 
Супер. Така флашките ще станат стотинки.
Първоначално публикувано от Tommorow 
